A（略）质谱仪

一、技术规格 1. 雾化室：具有半导体控温装置的石英雾化室。 2. ICP 发生器：频率≤（略）.（略）MHz，使得氧化物产率 CeO/Ce≤2.0%。 3. 超高耐盐接口：配置气（略），可直接（略）析（略）%高盐样品，（略）直接可调（略）稀释倍数，不小于（略）倍。 4（略）轴方向的采样深度调节。 5. 工作气体控制：仪器配置由可由仪器（略）控制的高精度气体质量流量控制器控制各个工作气体，可计算机控制的质量流量控制（略）不少于9个。 6. 具有2个独立的四极杆质量（略）析器，（略）别位于碰撞反应池之前和碰撞反应池之后，能够进行一级和二级质谱（略）析。四极杆质量（略）析器1：在碰撞反应池之前具有四极杆质量（略）析器1，其质量（略）辨率≤0.3amu。 8. 四极杆质量（略）析器1：四极杆驱动射频≥2.8MHz，（略）可显示四极杆驱动频率。 9. 碰撞反应池，碰撞反应池不同任意不同气体模式切换时间小于5秒。 （略）. 四极杆质量（略）析器2：在碰撞反应池之后具有四极杆2，质量（略）辨率≤0.3amu，四极杆质量（略）析器 2: 驱动射频≥2.8 MHz，（略）可显示四极杆驱动频率（提供（略）截图证明）。 （略）. 质量范围不小于：四极杆质量（略）析器1: 2 - （略） amu, 四极杆质量（略）析器2: 2-（略）amu （略）. 检测器：同（略）模式的高速检测器；具有（略）个数量级线性动态范围；CPS计数范围不小于 0.1-（略） Gcps； （略）. 检测器：最小积（略）时间不大于0.1ms，以适用激光剥蚀 TRA （略）析。 （略）. 两套（略），保证真空度，提高反应模式灵敏度。 （略）. 激光剥蚀联机接口：ICP-MS工作站（略）通过内嵌插件能够直接控制激光剥蚀，提供 ICP-MS 工作站（略）内嵌激光剥蚀控制界面的截图作为证明。 二、性能指标 1. 灵敏度（在 CeO+/Ce+: ≤2.0%条件下）： 低质量数：7Li？ （略） Mcps/ppm 中质量数：（略）In？ （略） Mcps/ppm 高质量数：（略）U？ （略） Mcps/ppm 2. 检测限： Be(9): ≤0.1 ppt In(（略）): ≤ 0.（略） ppt Bi(（略）): ≤0.（略） ppt 氧化物：CeO+/Ce+: ≤2.0 % 双电荷离子(Ce2+/Ce+): ≤3.0 % 3. 丰度灵敏度： 低质量端：≤ 1 x （略）-（略） 高质量端：≤ 1 x （略）-（略）短期稳定性(RSD): 2 % (（略） min) 背景噪音 <0.2cps