招标代理公司（立即查看） 受业主单位（立即查看） 委托，于2022-07-27在采购与招标网发布 北京信息科技大学科技创新服务能力建设-光纤传感与系统北京实验室（科研类）-材料分包采购项目更正公告。现邀请全国供应商参与投标，有意向的单位请及时联系项目联系人参与投标。 一、项目基本情况原公告的采购项目编号：（略）-（略）M（略）　　　　　　原公告的采购项目名称：科技创新服务能力（略）北京实验室（科研类）-材料（略）包采购项目　　　　　　首次公告日期：（略）-（略）-（略）:（略）　　　　地址：（略）购文件更正内容：1、原招标公告及招标文件中：投标截止时间、开标时间：（略）年（略）月（略）日9点（略）（北京时间）。现更正（略）投标截止时间、开标时间：（略）年（略）月（略）日9点（略）（北京时间）。2、原招标文件第二章中：本项目为非单一产品采购项目，核心产品（略）七芯光纤、扇入扇出、有热AWG器件现更正（略）本项目为非单一产品采购项目，核心产品（略）扇入扇出、有热AWG器件3、原招标文件第五章中：“采购标的实现的功能或者目标；高纯镓锭、高纯铟锭等是进行MBE（略）子束外延生长所必须的原材料，依托于MBE开展的一系列崭新的超晶格器件，扩展了半导体科学的新领域，对于取得高水平的科研成果以及开展科研成果推广具有重要意义”现更正（略）“采购标的实现的功能或者目标；推进我（略）的原始创新，开发具有国际先进水平（略），加快我国光纤传感技术成果转化及仪器设备的产业化（略）产业持续、快速增长”4、原招标文件第五章中设备名称主要技术参数采购数量备注七芯光纤同质型低串扰齐心光纤，实现长距离低串扰的空（略）复用光信号传输，短期弯曲半径mm≥7.5，长期弯曲半径mm≥（略）米核心产品光纤耦合器用于光纤传感，工作波长（略）±（略）nm，工作温度范围：-（略）℃~+（略）℃，波长相关损耗：≤0.1dB,（略）光比（略）%（略）只LVDS接收器针对低功耗、高速率应用所设计的军用5VCMOS（略）LVDS接收器，数据传输速率（略）.5Mbps（略）.7MHz（略）只LVDS驱动器针对低功耗、高速率应用所设计的军用3.3VCMOS（略）LVDS（略）器，数据传输速率（略）Mbps（略）MHz（略）只LDO电压调节器，工作温度：-（略）℃~+（略）℃，电源电压：4.5v~8v（略）只LDO高电流，低压差表面贴装稳压器，输入电压：（略）V，输出电流：4A，存储温度范围：-（略）℃~+（略）℃（略）只LDO低噪声低压差稳压器，工作输入电压：1.8v~5.5v，输出电流:（略）mA，输出电压精度：±2%（略）只MOS管LCS（略）系列场效应管，漏源击穿电压：≥（略）V，最大漏电流：≥-（略）A，导通电阻：≤0.（略）Ω（略）只MOS管LCS（略）系列场效应管，漏源击穿电压：≥（略）V，最大漏电流：≥-（略）A，导通电阻：≤0.（略）Ω（略）只电连接器J（略）系列微型矩形电连接器，环境温度：-（略）℃~+（略）℃，额定电流：3A，接触电阻：≤（略）mΩ，绝缘电阻：≥（略）MΩ，介质耐压：（略）V（略）只电连接器J（略）S系列微型矩形电连接器，环境温度：-（略）℃~+（略）℃，额定电流：3A，接触电阻：≤（略）mΩ，绝缘电阻：≥（略）MΩ，介质耐压：（略）V（略）只AD辐照加固采样频率可变ADC，采样频率：≤（略）Msps，电源电压：2.5V，输出驱动兼容：2.5V3.3V9只DADAC芯片，采样频率：≤（略）Msps，电源电压：2.5V9只光纤三端口环行器应用于光纤测试，工作波长：（略）nm，工作温度：-（略）℃~+（略）℃，插入损耗≦0.8dB，回波损耗（略）dB（略）只现更正（略）材料具体名称参数采购数量备注七芯光纤光纤螺旋排布，相邻纤芯串扰指标：＜-（略）dBkm，纤芯直径：6.0±0.5μm，包层直径：（略）±1μm，衰减@（略）nm：＜6dBkm（略）米光纤耦合器用于光纤传感，工作波长（略）±（略）nm，工作温度范围：-（略）℃~+（略）℃，波长相关损耗：≤0.1dB,（略）光比（略）%，1*2端口，光纤连接器：熊猫星光纤，F（略）PC单模接头，？（略）μm内孔，陶瓷插芯，？3.0mm护套（略）只LVDS接收器辐射加固3.3VCMOS（略）LVDS接收器，电离总剂量≥（略）Krad（Si）,最大工作速率≤（略）Mbps4（略）同时工作（略）只LVDS驱动器辐射加固5VCMOS（略）LVDS（略）器，电离总剂量≥（略）Krad,最大工作速率≤（略）.5Mbps（略）只LDO输出电压：3.3V，过温保护、过压保护和过流保护，满载对地电流：（略）mA，输出电压精度：-1%~1%，输出电流：3A，抗总剂量能力（略）kradSi（剂量率0.1radSis）（略）只LDO输出电压：2.5V，过温保护、过压保护和过流保护，满载对地电流：（略）mA，输出电压精度：-1%~1%，输出电流：3A；★抗总剂量能力（略）kradSi（剂量率0.1radSis）（略）只LDO输出电压：1.9V，过温保护、过压保护和过流保护，满载对地电流：（略）mA，输出电压精度：-1%~1%，输出电流：3A；★抗总剂量能力（略）kradSi（剂量率0.1radSis）（略）只MOS管漏源击穿电压：≥-（略）V；★静态漏源导通电阻：≤0.（略）Ω；阈值电压：-2~-4V，（略）栅压漏电流：≤-（略）μA，总栅电荷：≤（略）nC，栅源电荷：≤（略）nC，栅漏电荷：≤（略）nC（略）只MOS管漏源击穿电压：≥（略）V；★静态漏源导通电阻：≤0.（略）Ω；栅阈值电压：2~4V，（略）栅压漏电流：≤（略）μA，总栅电荷：≤（略）nC，栅源电荷：≤（略）nC，栅漏电荷：≤（略）nC（略）只电连接器微型矩形电连接器，（略）芯，环境温度：-（略）℃~+（略）℃，振动：（略）Hz~（略）Hz（略）ms2，额定电流：3A，接触电阻：≤（略）mΩ，绝缘电阻：≥（略）MΩ，介质耐压：（略）V，机械寿命：（略）次（略）只电连接器气密封耐辐照圆形连接器，（略）芯，工作温度：-（略）℃~+（略）℃，相对湿度：+（略）℃±2℃时相对湿度（略）%~（略）%；★气密封：低气压端为1.（略）×（略）-4Pa时漏气量不大于1Pa.cm3s；绝缘电阻：≥（略）MΩ（（略）V.DC.），耐电压：（略）V（有效值），插拔寿命：（略）次（略）只AD辐照加固采样频率可变ADC，抗总剂量：≥（略）Krad（Si）；★抗单粒子闩锁：≥（略）MeV？cm2mg；采样频率：≤（略）Msps，电源电压：2.5V，信噪比：≥（略）dB，信噪失真比：≥（略）dB，有效位数：≥9.7bit，输入电压：2Vp-p，（略）辨率：（略）bit，最大功耗：≤（略）mW，ESD≥（略）V9只DA辐照加固DAC芯片；★抗总剂量≥（略）Krad（Si）；抗单粒子锁定能力≥（略）MeV·cm2m，更新率：（略）Msps，精度：（略）bit，功耗：（略）mW@5V9只光纤三端口环行器应用于光纤测试，光纤类型：PM（略），消光比：≥（略）dB，光功率：（略）mW，工作波长：（略）nm，工作温度：-（略）℃~+（略）℃，插入损耗≦0.8dB，回波损耗（略）dB，光纤连接器：F（略）PC单模接头，？（略）μm内孔，陶瓷插芯，？3.0mm护套（略）只其他内容均无修改。更正日期：（略）-（略）-（略）:（略）　三、其他补充事宜无四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。1.采购人信息名称：北京信息科技大学　　　　　地址：（略）　2.（略）　　　　　　　　　　　　地　址：（略）东（略）甲（略）号（略）9层9C　　　　　　　　　　　　联系方式：王珊珊边璐杨振豪吴丹张含勇，（略）-（略）　　　　　　　　　　　　3.项目联系方式项目联系人：（略）杨振豪吴丹张含勇电　话：　　（略）-（略）更正公告-科技创新服务能力（略）北京实验室（科研类）-材料（略）包采购项目.docx;