A（略）电子工业生产设备

1、购置总量（略）2、发货日期：签订合同8个月内发货 3、技术目标： 该设备采用半导体刻蚀机的成熟技术，独特设计的等离子体源，实现了对腔室内等离体密度的均匀控制，满足硅高深宽比刻蚀工艺的要求，具有稳定可靠的工艺性能、宽阔的工艺窗口和良好的工艺兼容性，主要用于（略）mm及以下尺寸晶片的高深宽比硅刻蚀。可应用于MEMS、先进封装等领域。 4、配制要求： (1（略）：采用双射频源，射频源功率量程≥（略）W；偏压功率≥ （略）W，偏压射频带脉冲功能； (2（略）进气加边缘进气的方式，具备快速切换功能；气体数量包括但不限于SF6、C4F8、Ar、O2等8（略），气体量程 ≥（略） sccm； (3（略）：本底真空度≤ 0.5mT、腔室漏率≤ 1mT/min；控压能力2mT~（略）mT； (4（略）：卡盘方式采用双极静电卡盘，吸附电压不小于（略）V； (5（略）：腔室加热能力 ≥（略）℃；具备4、6、8寸兼容； (6).（略）子泵抽速≥（略）L/S，干泵抽速≥（略） m3/Hr； (7).Chiller 控温范围＞ -（略）℃~（略）℃； (8).（略）及其它功能：具备权限管理、工艺配方管理、参数管理、自动工艺、手动操作、设备维护、报警管理、自动记录、实时数据、部件生（略）具备完备的报警和安全互锁功能。 5、技术服务 (1)卖方应在买方所在地提供仪器的安装、校验和试运转，并提供用户硬件测试报告及工艺验收报告详细数据。 (2)对于新的材料，厂家提供免费工艺制程的支持服务，并（略）享相关工艺数据库信息。 (3)技术培训：在用户（略）对用户进行设备操作及维护培训。 (4)保修期：提供1年免费保修，保修期自验收签字之日起计算。 (5)维修响应时间：卖方应在（略）小时内对用户的服务要求做出响应，如电话沟通不能解决，维修人员应在5个工作日内到达用户（略）解决。