A（略）电子工业生产设备

1、购置总量（略）2、发货日期：签订合同8个月内发货 3、技术目标：该设备用于碳化硅材料的干法刻蚀，可实现纳米及微米尺度的刻蚀深度控制，设备可应用于能源、物理学、微电子、纳米技术等领域。 4、配制要求： （1） ICP腔室：具有高密度、高能量的刻蚀能力。 （2）腔室采用进口（略）铝材质，带观察窗口；外壳表面丝印，防腐设计。 （3）配备下电极静电卡盘ESC，ESC吸附电压 （略）KV；满足8英寸晶圆，向下兼容8英寸（含8英寸）以下晶圆及小片作业； （4（略）：配置1台Chiller，控温范围-（略）℃~（略）℃，温度控制精度±0.5℃，基座控温均匀性±1℃； （5（略）：（略）子泵抽速不低于（略）L/s；前级干泵抽速不低（略）m3/h； （6）腔室极限真空优于5x（略）-2mTorr，腔室漏气率优于1mTorr/min，控压范围5mTorr~（略）mTorr，控压精度±0.1mTorr，至少配置两个真空计； （7）反应腔室壁温度控制：上、中、后腔室温度控制：室温~（略）℃；上顶板温度控制：采用高温Chiller，控温范围室温~（略）℃。 （8（略）: 配备3套射频电源及匹配器； （9（略）：Source射频电源功率（略）W，可用功率范围（略）-（略）W可调，（略）.（略）MHz, 带自动匹配器； （（略）：Bias射频电源功率（略）W，可用功率范围至少（略）-（略）W可调，（略）.（略）MHz, 带自动匹配器;射频匹配速度＜3s，RF精确度≤±1%设定值或±0.5W（以较大值为准），反射功率≤2%设定值； （（略）: 配置至少8（略），并配置气体流量调控器； （（略））传送模块：手动传输自动工艺:配备Loadlock传送腔室； 5、技术服务 （1）卖方应在买方所在地提供仪器的安装、校验和试运转，并提供用户硬件测试报告及工艺验收报告详细数据。 （2）对于新的材料，厂家提供免费工艺制程的支持服务，并（略）享相关工艺数据库信息。 （3）技术培训：在用户（略）对用户进行至少5天的免费培训。 （4）保修期：提供1年免费保修，保修期自验收签字之日起计算。 （5）维修响应时间：卖方应在（略）小时内对用户的服务要求做出响应，如电话沟通不能解决，维修人员应在5个工作日内到达用户（略）解决。